Thesis

TESI DI LAUREA MAGISTRALE / SPECIALISTICA

 

ASSEGNATE

Nome: Giulia Masini Franceschetti

Titolo: Physical Analysis and Modeling of the Charge Transport in Disordered Thin-Film Transistors

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea prevista:  31 ottobre 2015

 

Nome: Alessandro Zanotti

Titolo: Caratterizzazione e progetto di una memoria single-poly eeprom integrata in tecnologia BCD a 180nm

Svolgimento presso: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea prevista:  29 ottobre 2014

 

COMPLETATE

Nome: Andrea Pasquini

Titolo: Generatore di impulsi ultra-corti per applicazioni UWB

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia) in collaborazione con Cover Technology srl

Data di laurea: 24 settembre 2014

 

Nome: Matteo Venturelli

Titolo: Design of unipolar integrated circuits on flexible substrates

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea: 28 maggio 2014

(proseguimento: lavoro presso STMicroelectronics)

 

Nome: Mattia Asperti

Titolo: Sviluppo di una memoria OTP antifuse integrata in tecnologia BCD a 180 nm

Svolgimento presso: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea: 19 marzo 2014

 

Nome: Eduardo Gobbi

Titolo: Caratterizzazione e misura di capacità parassite in tecnologia CMOS nanometrica

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia) e PDF Solutions

Data di laurea: 25 settembre 2013

(proseguimento: assunto da PDF Solutions)

 

Nome: Andrea Mario

Titolo: Progetto di blocchi circuitali RF in banda LTE 2.6-2.7GHz: mixer e filtri

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea prevista: 22 marzo 2013

(proseguimento: assunto da Cover Technologies per progetto Radar UWB)

 

Nome: Alberto Piadena

Titolo: Progetto di blocchi circuitali RF per un ricevitore in banda LTE 2.6-2.7GHz

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea: 22 marzo 2012

(proseguimento: assunto da PDF Solutions)

 

Nome: Walter Mollo

Titolo: Progetto di blocchi circuitali RF per un trasmettitore in banda LTE 2.6-2.7GHz

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea: 22 marzo 2012

(proseguimento: assunto da PDF Solutions)

 

Nome: Michele Piccardi

Titolo: Circuit Design for the first DRAM-like memory chip based on 45 nm vertical thyristor RAM technology

Svolgimento presso: R2 R&D CenterMicron Technology (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea (DOPPIO TITOLO ITALIA-USA PRESSO GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY): 9 novembre 2011

(proseguimento: lavoro presso Micron Technology)

 

Nome: Davide Germani

Titolo: Progetto di blocchi circuitali a basso consumo per memorie non volatili in tecnologia CMOS a 130nm

Svolgimento presso: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea: 9 novembre 2011

(proseguimento: lavoro presso STMicroelectronics)

 

Nome: Pedretti Stefano

Titolo: Studio del contatto metallo-materiale organico

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea: 24 marzo 2011

 

Nome: Giovanni Bassi

Titolo: Convertitori DC/DC a bassissime tensioni di alimentazione

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea: 16 febbraio 2011

 

Nome: Sbaraini Simone

Titolo: Progetto di Amplificatori Operazionali a Bassissima Tensione di Alimentazione

Svolgimento presso: Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione – DII (Brescia)

Data di laurea: 24 marzo 2010

 

Nome: Milani Luca

Titolo: A novel OTP non volatile memory on 40nm integrated CMOS technology: characterisation & design

Stage aziendale: Cambridge Silicon Radio Ltd. (CSR) – U.K.

Data di laurea: 24 marzo 2010

(proseguimento: assunto da Cambridge Silicon Radio Ltd. (CSR) – U.K., poi Dottorato di Ricerca presso DII)

 

Nome: Bregoli Roberto

Titolo: Studio, caratterizzazione e progettazione di strutture di memoria non volatile in tecnologie integrate da 90nm e 65nm

Stage aziendale: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea: 20 ottobre 2009

(proseguimento: lavoro presso ST Microelectronics)

 

Nome: Zappa Dario

Titolo: Studio della mobilità nei diodi LED in materiali organici

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Data di laurea: 22 settembre 2009

(proseguimento: Dottorato di Ricerca)

 

Nome: Rocco Stefano

Titolo: Studio dell’effetto del campo elettrico sulla mobilità nei transistori in materiale organico

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Data di laurea: 17 luglio 2009

 

Nome: Cocchi Alessandro

Titolo: Progetto di convertitori DC/DC in tecnologia SOI

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Tecnologia: CMOS SOI 65nm processo ST

Data di laurea: 17 luglio 2009

 

Nome: Buizza Alessandro

Titolo: Progetto di un circuito integrato CMOS per la misura di intervalli di tempo assoluti

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Tecnologia: AMS SiGe 0.35um

Data di laurea: 26 marzo 2009

 

Nome: Pisoni Giancarlo

Titolo: Studio, caratterizzazione e progettazione di strutture di memoria non volatile per processi CMOS

Stage aziendale: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea: 21 ottobre 2008

(proseguimento: lavoro presso ST Microelectronics)

 

Nome: Comensoli Simone

Titolo: Progetto di un convertitore integrato di tensione 0.1V-1.2V

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Tecnologia: UMC 0.18um mixed process

Data di laurea: 27 marzo 2008

(proseguimento: assunto da PDF Solutions)

 

Nome: Tonoli Silvia

Titolo: Convertitore DC/DC per applicazioni a bassissima tensione di alimentazione

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Tecnologia: UMC 0.18um mixed process

Data di laurea: 23 maggio 2007

 

Nome: Pitari Lara

Titolo: Progetto e caratterizzazione di celle di memoria non volatile in tecnologie integrate da 130nm e 90nm

Stage aziendale: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea: 28 marzo 2007

(proseguimento: assunta da PDF Solutions)

 

Nome: Raciti Elena

Titolo: Progetto di un amplificatore di potenza ad alto rendimento per segnali UWB fra 6 e 8GHz

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia)

Tecnologia: AMS SiGe 0.35um

Data di laurea: 25 ottobre 2006

(proseguimento: assunta da ST Microelectronics)

 

Nome: Torricelli Fabrizio

Titolo: Progetto di memorie non volatili in tecnologie integrate CMOS standard con lunghezza di canale minore di 90nm

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia) e ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Tecnologia: ST H9A 90nm

Data di laurea: 22 settembre 2006

(proseguimento: Dottorato di Ricerca in Strumentazione Elettronica)

 

Nome: Giacomi Gianni

Titolo: Progetto di un mixer UWB a basso rumore per segnali da 6 a 8 GHz in tecnologia BiCMOS

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia).

Tecnologia: AMS SiGe 0.35um

Data di laurea: 24 maggio 2006

(proseguimento: assunto da ST Microelectronics)

 

Nome: Lorenzi Laura

Titolo: Progetto di un amplificatore integrato BiCMOS a basso rumore e a larga banda per segnali a 7GHz

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia).

Tecnologia: AMS SiGe 0.35um

Data di laurea: 23 settembre 2005

(proseguimento: Dottorato di Ricerca in Strumentazione Elettronica – assunta da PDF Solutions)

 

Nome: Tonni Marco

Titolo: Progetto di un oscillatore integrato in tecnologia BiCMOS a frequenza variabile da 6 a 8 GHz

Svolgimento presso: Dipartimento di Elettronica – DEA (Brescia).

Tecnologia: AMS SiGe 0.35um

Data di laurea: 23 settembre 2005

(proseguimento: assunto da PDF Solutions)

 

Nome: Crotti Matteo

Titolo: Ottimizzazione dei modelli di cella non volatile NOR/NAND nei simulatori a LUT

Stage aziendale: ST-Microelectronics (Agrate Brianza – MI)

Data di laurea: 23 settembre 2005